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低电压低功耗NAND Flash介绍

2018-09-29 17:58来源:互联网作者:雷龙浏览数:368 
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低电压低功耗NAND Flash介绍


技术应用】随着便携式设备和穿戴式设备的兴起,产品对于功耗的要求越来越严格,基本这类设备对于待机功耗,工作功耗都有相应的要求。然而普通的NAND Flash的供电电压是3.3V,这样就导致整个NAND Flash在读和写的时候,功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND Flash中获取数据,这样对于整个NAND Flash的功耗又会增加,据此原因,ATO针对这类应该开发出来了1.8V的低电压NAND Flash,是一款低功耗NAND Flash


下面主要说明一下,ATO 1.8V 1Gb NAND Flash的规格以及和3.3V NAND Flash的对比。


图片1.png


图1    3.3V NAND Flash的直流特性的指标


图片2.png

图2  1.8V NAND Flash的直流特性指标。


从上面两个图的对比可以看出,读,写,操作操作时,电流的指标是一样的。但是1.8V的电压值几乎是3.3V的一般,故功耗也几乎是3.3V 的一半。所以,低功耗NAND Flash对于功耗的节省是非常明显的。


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