内置晶振、超小封装、可以数字补偿的高精度时钟IC－SD2077/2078/2010

　　SD2010管脚兼容8010-实时时钟芯片的新选择！

　　概述:

　　SD2078是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过5位地址寻址来读写片内32字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2078内置晶振，用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题和振荡可靠性问题。SD2078内置时钟精度数字调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(-189ppm～+189ppm,分辨力为3.05ppm)，并通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。

　　主要性能特点：

　　> 低功耗： 1.2 μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。

　　>工作电压：1.8 V～5.5V，工作温度为-40℃～+85℃。

　　>标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

　　>年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

　　>闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。

　　>可选择12/24小时制式.

　　>内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96种组合报警方式，并有单事件报警和周期性          报警两种中断输出模式，报警时间最长可设至100年。

　　>周期性频率中断输出:从32768Hz～1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲。

　　>自动重置的8位倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。

　　>3种中断均可选择从INT脚输出,并具有3个中断标志位.

　　>内置12字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。

　　>具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出。

　　>内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温一次，电池模式600S间隔测温一次。

　　>内置晶振和谐振电容，常温精度:A档<±10ppm(常温日误差最大0.86秒)；B档<±30ppm;C档<±50ppm。

　　>内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器，设定适应温度变化的调整值，可实现在宽温范围内高精度的计时功能。

　　>具有一个后备电池输入脚VBAT ，芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。

　　>内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免IIC总线挂死问题。

　　>内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。

　　>内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。

　　>芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。

　　>芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。

　　>CMOS 工艺

　　>封装形式：SOP8（宽度208mil：SD2077/2078;宽度150mil：SD2010）。

　　管脚设置:

　　管脚说明: