CS创世 SD NAND与SPI NAND之间的区别

最近有很多客户在使用CS创世 SD NAND的时候都会问SD NAND与SPI NAND有什么区别，下面我们来一起了解下

内部材质：主流SD NAND与SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圆，擦写寿命可达5万-10万次；

接口以及驱动程序：SD NAND正常接CPU是用SDIO接口，SPI NAND是接SPI接口使用，很多主流的CPU都是自带SDIO的驱动，因此使用SD NAND的时候不需要在额外的来写驱动，而使用SPI NAND往往要重新写驱动

读写速度:由于接口和协议的差异，两者的速度相差较大，SD NAND走的是4bit传输带宽，读写速度要比SPI NAND快很多，最高写入速度可以达到class10，而SPI NAND主流还是1bit传输模式，所以速度上会慢很多，理论上相差4倍

以CSNP1GCRR01-AOW和ATO25D1GA为例来说明

CSNP1GCR01-AOW：

是一种基于NANDFlash和SD控制器的1Gb嵌入式存储密度。与原始NAND相比，该产品有许多优点，具有更强的嵌入式坏块管理和ECC校验。即使是在异常断电时，它仍然能保持数据的安全。CSNP1GCR01-AOW是LGA-8封装。尺寸为8毫米x6 毫米x0.75毫米mm 

ATO25D1GA ：

ATO25D1GA是1Gbit并且带有32Mbit备用容量的存储。标准电压为3.3V。内存被划分为可以独立擦除的块，以便在删除旧数据时保留有效的数据。该设备包含1024个块，由64页组成，由32个系列连接的闪存单元的两个NAND结构组成。程序操作可以在典型的200字节的2040ms上执行，擦除操作可以在128k字节的典型2ms上的块上执行。页面中的数据可以在每个字节的25ns的周期时间内读出

SD NAND与SPI NAND都是有块堆叠而成的，都是一个原始的RAW加上一个控制器，但从单个快来看他们是有区别的

SD NAND单个块为512字节，擦除、读写都是以块为单位进行的，而且SD NAND可以直接写入，不需要先擦除才能写入

SPI NAND单个块为128K字节，擦除是以块为单位的，读是以页为单位的，写是以块为单位，SPI NAND必须先要进行擦除，才能写入。从结构图来看

SD NAND结构图

SPI  NAND结构图

从数据传输来看

SD NAND是基于SD2.0的协议：

直到SD NAND识别模式结束，主机应保持FOD频率，因为一些SDNAND可能有在SD NAND识别模式下的工作频率限制。在数据传输模式下，主机可能会操作SD NAND，在f PP频率范围内。主机发出SEND_CSD (CMD9)来获取SDNAND特定数据(CSD寄存器)，例如块长度，SD NAND存储容量等。广播命令SET_DSR (CMD4)配置所有标识的SDNAND的驱动程序阶段。它对DSR进行编程与应用程序总线布局(长度)、总线上的SDNAND数量和数据传输频率相对应的寄存器时钟速率也从FOD切换到FPP。SET_DSR命令是SDNAND和主机的一个选项

SPI是私有协议：

比如SPI NAND在一个页面的读取操作如下图：

从下图可以看出来SPI的读是通过0FH或者13H这样类似的命令来操作的，以0FH这个操作为例子，从0到7总共8个地址，这8个地址的信息总共占一个字节的存储空间，然后通过解码，被地址寄存器输送信息给通信SI/SO。

同样的写的操作如下：

这是一个串行数据连续传输图，SLCK这里发送命令从Data Byte2一直到Data Byte2112,然后SI这里一会不间断的写入8byte address,刚好也有Data Byte2-Data Byte3------Data BYte2112。

块擦除操作如下

SCLK(时钟）command通信口SI，然后SI这里发出一个D8h的指令，然后对从MSB（最高有效位）23-0一个24bit Address进行擦写。

SD NAND由于内置了全套管理算法，在稳定度方面会好很多。特别是针对掉电保护这块。例如CS创世 SD NAND二代通过了客户10K次的随机掉电测试。而SPI NAND“继承”了NAND Flash先擦后写机制带来的弊端，在写入数据的时候突然掉电很容易丢失数据

从整体来看SD NAND是一个集成了完整的NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成协议的转换，内置算法并不完整；深圳雷龙发展科技有限公司是一家专注于SD NAND销售代理的公司，欢迎各界朋友们随时来咨询。