为什么创世会推出二代SD NAND?

2024-09-05 16:36:43 雷龙发展

  创世推出二代SD NAND

  CS创世2019年独家推出了第二代SD NAND产品,在此之前市面上其它厂商很多都是一代,这里跟大家聊聊为什么会要做二代SD NAND,以及二代和一代有哪些区别。

  一代的SD NAND 主要是将TF卡的拔插的形式改为了贴片的形式。

       1.解决了客户之前使用TF卡会有松动,脱落,氧化,接触不良 这类硬件接触问题。因为很多电子产品,比如带语音播放的儿童玩具,按摩眼罩,睡眠音箱枕头等,他们的声音信息是存储在TF中的,这类产品在使用过程中,不可避免的会出现跌落和磕碰。贴片焊接的形式从根本上解决了跌落磕碰导致的硬件接触不良问题。CS创世SD NAND与TF卡的区别:详情链接http://www.longsto.com/news/8.html 。

  2.并且对于NAND FLASH的选择也是100% good die 一线大厂的晶圆,解决了客户每次购买TF卡内部NAND FLASH品质差次不齐,客户产品的品质无法把控的情况,并且大多数客户本身也没有能力去分辨。

  3.TF卡尺寸比较大的问题,类似智能手表产品,本身体积比较小,如果还要放置TF卡,对于PCB的面积和布局是很大的考验,外观的设计限制也会更多。由于SD NAND 是6*8封装的尺寸,非常小巧,节省了大量的空间。

  一代的SD NAND推出后,有了上述的三大优势,已经能很好的解决大部分客户的问题了,但是随着客户的越来越多,发现还有一些客户:

  他们一般写入较为频繁,

  存在设备突然掉电的风险,

  需要实时存储设备内部的工作日志或者实时存储外部记录的信息数据等,

  对于小文件的写入速度和读取速度有很高的要求,

  对于存储芯片的工作温度范围有更高要求,

  并且对于稳定性和可靠性要求更为苛刻。

  主要的行业有物联网,机器人/狗,自动化设备,检测仪器,电力监测设备,医疗设备,智能家居,轨道交通等

  基于以上这些客户,创世CS SD NAND 在保留了一代的优势特点情况下推出了二代SD NAND

  对于频繁写入的客户,因为存储单元的写入过程就是 充入电荷的过程,这个过程会有存储电荷的变化,变化容易导致出错。一代的应用场景读取比较多,读取不改变存储电荷,这个时候如果出现电压波动或者掉电情况,不会导致数据发生变化,也就不会有太大的影响。但是写入过程中的这种电荷变化,如果突然发生了掉电情况,之前存储的数据没有机制进行保存,就会影响最终的存储数据,出现错误或者丢失的情况。另外SD NAND的写入机制跟raw NAND是不一样的,RAW NAND写入是访问物理地址,对于一个写入的动作,需要先擦除block,才能写入,擦除也会改变存储的电荷。并且擦除的时间比较长。所以SD NAND为了提高写入效率,并且屏蔽掉坏块。SD NAND的访问采用的是逻辑地址访问。对于一个数据的更新,可以理解为是重新建立了一个映射关系。距离来说,写入了一个数据A,存放在SD NAND的block 1(逻辑地址) 中,实际的物理地址是block 15。那么更改数据A的内容,对于SD NAND来说,实际存放的物理地址变成了block 18(之前是空的block),逻辑地址还是block1,这样做只是改变了逻辑地址和物理地址的映射关系。不需要先擦除block 15上的数据,再写入,提高了效率。那么这个时候block 15上的数据就变成了垃圾数据,控制器会再空闲的时候去擦除这个数据,重新把这个空间腾出来。

  了解到SD NAND写入数据的机制机理后,我们再来看看二代 SD NAND对于上述的操作进行了哪些优化。对于写入数据,也就是电荷发生变化的时候,如果外部供电电压不稳,这个时候就会导致写入数据出错。所以需要外部的电压比较器,来感知外部电压的状态。从而进行针对性的调整。

  对于实时需要写入数据的情况下,很多时候可能存在这一次数据还没有写完,马上就又产生了新的数据,对于这样的情况,二代SD NAND内置的RAM空间会更大,能更快的处理小文件的数据,具体的情况每次写入多大的数据,间隔多长时间,也可以反馈给雷龙公司,他们有专业的技术支持人员,能更好的帮助客户处理类似的问题。

  对于读取速度有要求的情况,二代SD NAND的RAM空间大的优势也能很好的发挥,对于读取部分,更大的RAM空间可以加载更大空间的映射表,通过一级访问更多的地址,随机读取的速度也会更快。一般存储在RAM中的是一级映射区域,读取这个区域内的数据会较快,如果随机读取,可能会跳转到二级映射区域或者三级映射区域,这样读取的速度会下降。对于客户有具体读取速度要求的情况,也可以把详细的要求告知雷龙发展公司,他们有专业的技术支持人员,能给到客户更合适的方案。

  对于温度范围有要求的客户,二代SD NAND芯片采用了更高等级的晶圆,跟高等级的封装工艺,并且在数据保持力,高温长期运行等方便对于固件进行了优化,全力满足客户的需求。

  最后,二代的SD NAND芯片有内部log信息存储单元,如果芯片发生了一些问题,可以通过log信息进行问题的追溯,改善产品,提高稳定性和可靠性。

  综上所述,因为二代CS创世SD NAND是为了满足客户对于稳定性和可靠性的更高要求 才推出的产品。客户的需求是我们前进的动力,我们希望后续能有更多的客户进行交流和沟通,满足更多客户对于存储产品的各种苛刻要求。

       深圳市雷龙发展专注存储行业13年,专业提供小容量存储解决方案。

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