CS创世 二代SD NAND五大优点
•尺寸小巧
•简单易用
•兼容性强
•稳定可靠
•固件可定制
CS创世 品牌简介
•成立于2016年。
•采用韩国芯片设计。
•采用台湾FIash存储控制技术。
•已实现国内生产和制造。
•提供本地技术支持和服务。
CS创世 SD NAND六大主要优势
•LGA-8封装,机贴手贴都方便。
•尺寸小巧5(7*8.5mm),助力产品颜值提升。
•容量适宜(1Gb/4Gb/32Gb/64Gb)帮助客户降低成本。
•擦写寿命长(内置平均读写算法，专为嵌式而生)。
•免驱动(即贴即用)直连SD/SPI接口即可使用，已内置Flash管理程序。
•稳定可靠:已通过10k次随机掉电高低温冲击测试。内置FW包含平均读写，坏块管理，垃圾回收等处理机制。
CS创世 SD NAND 64Gbit 内部使用稳定可靠的MLC晶圆
•耐高温能力强。
•抗电流冲击强。
•SD NAND擦写寿命1000-3000次。
CS创世 新一代SD NAND控制器四大优势
•性能更稳定，通过10K次 随机掉电测试。
•兼容SPI/SD接口。
•内置固件可定制。
•强大的纠错和管理Flash能力，最高可支持3D TLC NAND。
•读写速度更快( 兼容SD2.0协议，最高支持SD 3.0协议) 尤其是小文件读写速度。
CS创世 SD NAND内置四大Flash管理算法
•NAND Flash的块存在擦写寿命的限制。在有擦写动作时，SD NAND会调用平均读写算法，避免只擦写某-部分物理块。从而达到整体物理块的可用寿命-致。 提高SD NAND整体使用寿命和稳定性。
•NAND Flash在存储数据时存在位反转和位偏移现象。因此数据在写入NAND Flash后需加上校验位。当数据出现错误时，SD NAND先会调用错误探测算法(EDC)发出提示，然后调用错误纠正算法(ECC )对错误数据进行修复。
•NAND Flash如果对集中的物理块进行擦写动作，产生的强电场会影响到周边的块。SD NAND采用均衡电荷散射算法，可以把擦写的块在物理上均匀分布，电场相互抵消，降低擦写操作对周边块的影响。
•NAND Flash在更新数据时，新数据会写入到空白块中，存储旧数据的块会被标识为垃圾。随着”垃圾数据"的日积月累，SD NAND会主动将有效数据块搬移，然后执行整个垃圾块擦除以回收空间。
SD NAND参考原理图
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CS创世 SD NAND本质上也是一种NAND Flash产品。很多用户看完基本介绍还是有很多困惑：那它跟其他NAND Flash产品比如eMMC，普通TSOP NAND Flash，TF/SD卡有什么区别呢？
•面对一个新项目或者新产品，我们该怎么选择合适自己的存储芯片呢？
•为什么MCU等平台在使用大容量存储时会倾向于使用SD NAND？
•CS品牌SD NAND为什么又被称为迷你型eMMC，贴片式TF呢？
•除了智能手表，手环等智能穿戴设备，SD NAND又在哪些领域有应用？
•关于这些问题，我们也在不断优化，并做了一个专栏，能为您答疑解惑：http://www.longsto.com/news/list-9.html。
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SD NAND参考原理图
